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氫化非晶硅的禁帶寬度可調(diào),含氫量增加,禁帶寬度();在非晶硅中摻入Ge元素,其禁帶寬度()。
答案:
增大;減小
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填空題
在單晶硅表面制作絨面時(shí),常用的各向異性腐蝕劑有有機(jī)腐蝕劑和(),并且被腐蝕的單晶硅表面為100晶面時(shí),可形成金字塔方椎形狀,腐蝕后方椎高度一般為3~6µm。
答案:
堿性腐蝕劑
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填空題
工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有()和區(qū)熔法(FZ法)
答案:
直拉單晶法(CZ法或切克勞斯基法)
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