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生產(chǎn)多晶硅帶的方法主要有定邊喂膜法、蹼狀枝晶法、繩帶法和模板生長法,其中產(chǎn)出率最高的方法為()
答案:
模板生長法
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填空題
氫化非晶硅的禁帶寬度可調(diào),含氫量增加,禁帶寬度();在非晶硅中摻入Ge元素,其禁帶寬度()。
答案:
增大;減小
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填空題
在單晶硅表面制作絨面時,常用的各向異性腐蝕劑有有機腐蝕劑和(),并且被腐蝕的單晶硅表面為100晶面時,可形成金字塔方椎形狀,腐蝕后方椎高度一般為3~6µm。
答案:
堿性腐蝕劑
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