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填空題

a-Si：H作為四面體結(jié)合的非晶體，是由（）束縛結(jié)構(gòu)構(gòu)成的，為了緩和堅(jiān)固的電路內(nèi)部應(yīng)力，易引發(fā)不可見光能帶等的結(jié)構(gòu)缺陷。

答案：過剩

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非晶半導(dǎo)體材料，是失去了像結(jié)晶型那長(zhǎng)距離晶格結(jié)構(gòu)后的材料，其原子周圍的化學(xué)鍵狀態(tài)與結(jié)晶時(shí)保持（）的狀態(tài)。

答案：相同

為了保持優(yōu)良的結(jié)晶性能，提高制膜速度，除了要采用（）；（）投入外，多數(shù)也采用導(dǎo)入電源頻率為60MHz---100MHz的VHF帶等離子體的CVD法。

答案：高電壓、高電力