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氧化物有兩個生長階段來描述,分別是線性階段和拋物線階段。
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雖然直至今日我們仍普遍采用擴散區(qū)一詞,但是硅片制造中已不再用雜質擴散來制作pn結,取而代之的是離子注入。
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柵氧一般通過熱生長獲得。
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