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判斷題

傳統(tǒng)的0.25μm工藝以上的器件隔離方法是硅的局部氧化。

答案：正確

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氧化物有兩個生長階段來描述，分別是線性階段和拋物線階段。

答案：正確

雖然直至今日我們?nèi)云毡椴捎脭U(kuò)散區(qū)一詞，但是硅片制造中已不再用雜質(zhì)擴(kuò)散來制作pn結(jié)，取而代之的是離子注入。

答案：正確