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側(cè)墻用來環(huán)繞多晶硅柵,防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
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集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明,并共享集成電路的專利。
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世界上第一塊集成電路是用硅半導(dǎo)體材料作為襯底制造的。
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