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問答題

【簡答題】簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

答案：

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。

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【簡答題】簡單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟。

答案：第一次光刻：N+隱埋層擴散孔光刻
第二次光刻：p+隔離擴散空光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴散孔光刻

【簡答題】在制作晶體管的時候，襯底材料電阻率的選取對器件有何影響是？

答案：

電阻率過大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴大飽和壓降，若過小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時下推大。