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問答題

【簡答題】以p阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS的有哪些不足？

答案：

NPN晶體管電流增益小，集電極串聯(lián)電阻大，NPN管的C極只能接固定電位。

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【簡答題】簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

答案：

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。

【簡答題】簡單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟。

答案：第一次光刻：N+隱埋層擴散孔光刻
第二次光刻：p+隔離擴散空光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴散孔光刻