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問答題

【簡答題】如何解決MOS器件的場區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)？

答案：在第二次光刻生成有源區(qū)時，進(jìn)行場氧生長前進(jìn)行場區(qū)離子注入，提高寄生MOSFET的閾值電壓，使其不易開啟；增加場氧生長厚度...

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【簡答題】什么是MOS晶體管的閂鎖效應(yīng)，其對晶體管有什么影響？

答案：在單阱工藝的MOS器件中（P阱為例），由于NMOS管源與襯底組成PN結(jié)，而PMOS管的源與襯底也構(gòu)成一個PN結(jié)，兩個PN...

【簡答題】什么是MOS晶體管的有源寄生效應(yīng)？

答案： MOS晶體管的有源寄生效應(yīng)是指MOS集成電路中存在的一些不希望的寄生雙極晶體管、場區(qū)寄生MOS管和寄生PNPN（閂鎖效應(yīng)...