A.DT10~30Gy B.DT20~40Gy C.DT30~50Gy D.DT40~60Gy E.DT50~70Gy
A.不設(shè)間隔以防病灶遺漏 B.不設(shè)間隔但每照射1000cGy,上下移動一次交接處 C.間隔1cm,每照射1000cGy,上下移動一次交接處 D.根據(jù)SSD射野長度和病灶深度計(jì)算間隔的寬度 E.間隔1cm或以上,以防照射區(qū)重疊造成脊髓損傷
A.不必停止放療與做特殊處理 B.保持口腔清潔,給予小劑量激素處理 C.口含維生素C即可 D.予以熱敷治療即可 E.除口腔清潔衛(wèi)生外,應(yīng)予以全身抗炎并暫停放療